반응형 반도체공정3 플라즈마 형성 방법 1. 플라즈마 발생원 1) Cold Cathode (DC discharge) = DC diode Plasma -두 개의 평형 전극판 사이에 플라즈마 생성 : 음극과 양극(그라운드) -Ion(양성자)이 음극판이 끌려서 충돌 >이중 ~10%정도가 2차전자를 발생 -이 2차전자는 양극 방향으로 가속됨 > plasma내의 기체 중성입자와 충돌하여 이온-전자쌍(이온화)을 만든다 >반복해서 플라즈마 생성 -이때 양이온이 음극판과 충돌할 때 전자이외에도 다른 물질을 뛰어나오게 하는 것을 Sputtering> 음극에 target이 위치, 양극에 기판 > target물질이 확산에 의해서 기판에 증착 -음극판은 양이온과 계속 충돌하기 때문에 열이 발생하고 따라서 cooling이 중요함 DC Plasma Heating 및 .. 2023. 6. 20. 습식 / 건식 식각 공정 1. 반도체 습식 식각의 이론 ※Agitation은 교반을 의미하여 골고루 섞이도록 휘어저줌을 의미 1) Wet etch - etchant를 이용하여 녹여 식각하는 방법 - etchant의 농도, 비율, 사용 재료들을 조합하여 필요한 부분을 식각, 다만 정밀한 재료가 어렵다 - 변수 농도 : 농도가 감사하면 etchant의 선능 감소 시간 : 얼마나 빨리 etch할 수 있는가 온도 : 반응 속도에서 차이 발생 교반(섞는 것) -> etchant의 성질 유지, 다양한 면에 접촉, Undercut 방지 공정 횟수 : 공정 횟수를 최대한 줄여서 비용을 감소 - 특징 공정이 단순하고 비용이 건식보다 상대적으로 저렴 등방성으로 식각이 진행되는 단점과 제어가 어렵다. 2. 반도체 습식 식각의 방법 1) Wet et.. 2023. 6. 6. 반도체 전공정(웨이퍼 제작, 산화, 포토, 식각, 증착&이온주입, 금속배선, CMP) 1. 반도체 제조공정 flow 웨이퍼 제조 > 회로설계 > 마스크(레티클)제작 > 웨이퍼 가공(포토, 식각 등 8대 공정) > 조립 > TEST 1) 전공정과 후공정 (1) 전공정 - 웨이퍼 제작 및 마스크 제작, 웨이퍼 가공 - 산화>포토>식각>박막증착>금속배선 (2)후공정 - 패키징 : 웨이퍼 자동선별(EDS) > 절단 >접착 > 금속연결 > 성형 - 검사 : 최종검사 > 마킹 > 포장 2. 웨이퍼 제조 및 종류 1)웨이퍼 제조 잉곳 제조 > 잉곳절단(웨이퍼의 두께와크기는 점점 얇고 커지는 추세) > 웨이퍼 표면 연마 2)웨이퍼 명칭 - 웨이퍼 : 원형 판 - 다이 : 웨이퍼위에 있는 작은 사각형, 각각이 하나하나의 칩이 된다 - 스크라이브 라인 : 다이와 다이사이를 절단하기 위한 선 - 플랫존 : .. 2023. 6. 6. 이전 1 다음 반응형
