반응형 etch2 metal etch, 식각 공정의 중요 Parameter, 필요요소, 건식 습식 식각 부도체 : 에너지갭이 큰 물질 도체 : 에너지갭이 없거나 작은 물질. 전도띠와 가전도띠가 겹쳐잇음 반도체 : 에니지갭이 작아서 인위적으로 전자를 전도띠로 쉽게 올릴 수 있는 물질 1. Metal line 식각 Metal : 전류 전달이 목적 dry etching이 안되는 금속 배선 방법 1)기판 -> 금속 -> 에칭 -> 절연층 도포 2) 기판 -> 절연층도포 -> 에칭 -> 금속채우기 -> CMP로 평탄화 - 2번을 많이 사용-> etch가 안되는 금속(구리)은 절연층을 etch하고 빈 공간에 도금을 하는 방식을 사용 - 알루미늄은 dry etch 가능 정리 metal etching = 평면상에서 금속 배선의 연결을 위하여 식각 : 보통 메모리소자처럼 알루미늄을 도선으로 사용하는 소자에서 사용하고 구리.. 2023. 6. 20. 습식 / 건식 식각 공정 1. 반도체 습식 식각의 이론 ※Agitation은 교반을 의미하여 골고루 섞이도록 휘어저줌을 의미 1) Wet etch - etchant를 이용하여 녹여 식각하는 방법 - etchant의 농도, 비율, 사용 재료들을 조합하여 필요한 부분을 식각, 다만 정밀한 재료가 어렵다 - 변수 농도 : 농도가 감사하면 etchant의 선능 감소 시간 : 얼마나 빨리 etch할 수 있는가 온도 : 반응 속도에서 차이 발생 교반(섞는 것) -> etchant의 성질 유지, 다양한 면에 접촉, Undercut 방지 공정 횟수 : 공정 횟수를 최대한 줄여서 비용을 감소 - 특징 공정이 단순하고 비용이 건식보다 상대적으로 저렴 등방성으로 식각이 진행되는 단점과 제어가 어렵다. 2. 반도체 습식 식각의 방법 1) Wet et.. 2023. 6. 6. 이전 1 다음 반응형
