반응형 식각3 metal etch, 식각 공정의 중요 Parameter, 필요요소, 건식 습식 식각 부도체 : 에너지갭이 큰 물질 도체 : 에너지갭이 없거나 작은 물질. 전도띠와 가전도띠가 겹쳐잇음 반도체 : 에니지갭이 작아서 인위적으로 전자를 전도띠로 쉽게 올릴 수 있는 물질 1. Metal line 식각 Metal : 전류 전달이 목적 dry etching이 안되는 금속 배선 방법 1)기판 -> 금속 -> 에칭 -> 절연층 도포 2) 기판 -> 절연층도포 -> 에칭 -> 금속채우기 -> CMP로 평탄화 - 2번을 많이 사용-> etch가 안되는 금속(구리)은 절연층을 etch하고 빈 공간에 도금을 하는 방식을 사용 - 알루미늄은 dry etch 가능 정리 metal etching = 평면상에서 금속 배선의 연결을 위하여 식각 : 보통 메모리소자처럼 알루미늄을 도선으로 사용하는 소자에서 사용하고 구리.. 2023. 6. 20. 플라즈마 사용 공정 : dry etch 1. 플라즈마 사용 공정 - Plasma etch, cleaning - PECVD - PVD - Ion implantation, plasma immersion 2. IC제작 공정 -박막 형상 -pattern 형성(포토, 에치) -추가 처리 과정의 반복 etch : PR등의 mask로 보호되지 않는 영역의 물질을 제거하는 공정 3. Plasma assisted etching -plasma의 radical이 기판 표면으로 이동 -Ion은 sheatch 영역을 건너며 가속된 에너지로 물질 타격 -Radical과 표면물질의 화학반응을 활상화시킴 >화학반응물이 기체상태로 되어 제거됨 (물질이 비휘발성이면 박막형성) Gas : Cl2, CF4, O2(ashing), 낮은 압력 사용(이방성목적) 4. Plasma E.. 2023. 6. 19. 반도체 전공정(웨이퍼 제작, 산화, 포토, 식각, 증착&이온주입, 금속배선, CMP) 1. 반도체 제조공정 flow 웨이퍼 제조 > 회로설계 > 마스크(레티클)제작 > 웨이퍼 가공(포토, 식각 등 8대 공정) > 조립 > TEST 1) 전공정과 후공정 (1) 전공정 - 웨이퍼 제작 및 마스크 제작, 웨이퍼 가공 - 산화>포토>식각>박막증착>금속배선 (2)후공정 - 패키징 : 웨이퍼 자동선별(EDS) > 절단 >접착 > 금속연결 > 성형 - 검사 : 최종검사 > 마킹 > 포장 2. 웨이퍼 제조 및 종류 1)웨이퍼 제조 잉곳 제조 > 잉곳절단(웨이퍼의 두께와크기는 점점 얇고 커지는 추세) > 웨이퍼 표면 연마 2)웨이퍼 명칭 - 웨이퍼 : 원형 판 - 다이 : 웨이퍼위에 있는 작은 사각형, 각각이 하나하나의 칩이 된다 - 스크라이브 라인 : 다이와 다이사이를 절단하기 위한 선 - 플랫존 : .. 2023. 6. 6. 이전 1 다음 반응형
