반응형 공학/반도체12 NAND FLASH의 동작 원리 1. NAND FLASH 동작 원리 1) MOSFET VS NAND FLASH 비교 - FLASH는 MOSFET과 비슷한 구조를 가지고 있지만 가장 큰 차이점은 DATA를 저장하기 위해 CONTROL GATE와 SUBSTRATE 사이에 FLOATING GATE라는 데이터 저장 장소가 추가되었다는 점이다. - FLOATING GATE는 FLASH에서 데이터(음전하)를 저장하는 역할을 하게 된다. - MOSFET의 경우 SOURCE에 전자를 들여보냈을 때 DRAIN에서 전자가 나오면 1, 그렇지 않으면 0으로 판단하고 소멸이 되는데 - NAND FLASH의 경우 터널링 효과로 FLOATING GATE에 데이터가 저장되어 필요할 때 마다 읽고 판단할 수 있다. ※터널링 효과 NAND FLASH의 FLOATIN.. 2023. 7. 2. 플라즈마 : PECVD, PVD, doping 1. PECVD 1)Chemical vapor Deposition(CVD) -Chemical Gases가 고체 표면상에서 반응하며 박막형태의 고체 반응물을 형성하는 것 - 다른 반응 부산물을 휘발성 기체의 형태로 고체 표면상에서 제거됨 2) Plasma Enhanced CVD -플라즈마의 라디컬과 반응성기체가 기판표면으로 이동 -라디컬은 기판과 반응하지 않고 반응성 기체와 비휠성막을 형성 -이온은 쉬스영역을 건너며 가속된 에너지로 wafer표면과 충돌하여 라디컬과 반응성기체의 화학반ㅇ을 촉진 시킴 3) PECVD Chamber -표면 화학반응이 주-> 플라즈마의 라디컬을 이용 -박막 Stress 조절> 약한 이온 폭격 -wafer는 ground 전극에 위치 -비슷한 면적의 RFpower와 Ground 전.. 2023. 7. 2. 플라즈마 형성 방법 1. 플라즈마 발생원 1) Cold Cathode (DC discharge) = DC diode Plasma -두 개의 평형 전극판 사이에 플라즈마 생성 : 음극과 양극(그라운드) -Ion(양성자)이 음극판이 끌려서 충돌 >이중 ~10%정도가 2차전자를 발생 -이 2차전자는 양극 방향으로 가속됨 > plasma내의 기체 중성입자와 충돌하여 이온-전자쌍(이온화)을 만든다 >반복해서 플라즈마 생성 -이때 양이온이 음극판과 충돌할 때 전자이외에도 다른 물질을 뛰어나오게 하는 것을 Sputtering> 음극에 target이 위치, 양극에 기판 > target물질이 확산에 의해서 기판에 증착 -음극판은 양이온과 계속 충돌하기 때문에 열이 발생하고 따라서 cooling이 중요함 DC Plasma Heating 및 .. 2023. 6. 20. 플라즈마 기초 1. 플라즈마 기초 1)플라즈마란 - 물질 상태는 분자간의 결합 수준으로 특정된다.(고,액,기) - 만약 기체 온도를 더 가해지게 되면 물질이 이온화된 가스로 상태로 변하는데 이것은 일반기체와 특성이 다르기 때문에 따로 분류하여 플라즈마라 칭한다. - 전체적으로 기체의 성질을 갖으나 동시에 전기 전도체이며 자기장의 영향을 받음(이온화되어 있기 때문에) 집합적 행동 : 하전 입자의 거동을 외부 힘이 지배 준중성 : 전체적으로 중성이나 좁은 범위에서는 중성이 깨짐 ※이온화율 ne : 전하밀도, nn : 중성입자밀도 플라즈마 구성 - 플라즈마는 중성원자(분자), 음전하(전자), 양전하(양이온)으로 구성 - 이온화율을 주로 plasma안에 전자 에너지 의해 결정된다. - 대부분 공정용 플라즈마의 이온화율은 0... 2023. 6. 20. metal etch, 식각 공정의 중요 Parameter, 필요요소, 건식 습식 식각 부도체 : 에너지갭이 큰 물질 도체 : 에너지갭이 없거나 작은 물질. 전도띠와 가전도띠가 겹쳐잇음 반도체 : 에니지갭이 작아서 인위적으로 전자를 전도띠로 쉽게 올릴 수 있는 물질 1. Metal line 식각 Metal : 전류 전달이 목적 dry etching이 안되는 금속 배선 방법 1)기판 -> 금속 -> 에칭 -> 절연층 도포 2) 기판 -> 절연층도포 -> 에칭 -> 금속채우기 -> CMP로 평탄화 - 2번을 많이 사용-> etch가 안되는 금속(구리)은 절연층을 etch하고 빈 공간에 도금을 하는 방식을 사용 - 알루미늄은 dry etch 가능 정리 metal etching = 평면상에서 금속 배선의 연결을 위하여 식각 : 보통 메모리소자처럼 알루미늄을 도선으로 사용하는 소자에서 사용하고 구리.. 2023. 6. 20. 기체 분자 운동론과 진공 1. 진공의 특성 1)진공 기초 진공 : 아무것도 없는 빈공간 공학적 정의 : 대기압보다 낮은 압력으로 기체가 채워져 있는 공간 진공의 발견 : 토리첼리 실험 2) 진공의 이용 압력 차이에 의한 힘 빠른 증발(동결건조) 열전달 차단 운동저항의 감소 청정 환경 3) 진공의 단위 1기압 = 760 mmHg = 760 Torr(토르) = 1atm 4) 진공의 의미 이상기체 방정식 : PV=nRT (분자들은 크기,부피가 없는 입자, 분자들 사이의 인력 척력이 없다고 가정) 압력이 낮다 > 공간안에 기체 분자수가 적다 압력을 낮춘다. > 공간안에 기체 분자수를 줄인다.(pumping) 5) 기체 상태 방정식 반데르발스 방정식 : 실제 상황에서 사용 하지만 진공은 이상기체 상태 방정식 사용 가능 6) 진공 특성 (.. 2023. 6. 19. 이전 1 2 다음 반응형
