반응형 플라즈마4 플라즈마 형성 방법 1. 플라즈마 발생원 1) Cold Cathode (DC discharge) = DC diode Plasma -두 개의 평형 전극판 사이에 플라즈마 생성 : 음극과 양극(그라운드) -Ion(양성자)이 음극판이 끌려서 충돌 >이중 ~10%정도가 2차전자를 발생 -이 2차전자는 양극 방향으로 가속됨 > plasma내의 기체 중성입자와 충돌하여 이온-전자쌍(이온화)을 만든다 >반복해서 플라즈마 생성 -이때 양이온이 음극판과 충돌할 때 전자이외에도 다른 물질을 뛰어나오게 하는 것을 Sputtering> 음극에 target이 위치, 양극에 기판 > target물질이 확산에 의해서 기판에 증착 -음극판은 양이온과 계속 충돌하기 때문에 열이 발생하고 따라서 cooling이 중요함 DC Plasma Heating 및 .. 2023. 6. 20. 플라즈마 기초 1. 플라즈마 기초 1)플라즈마란 - 물질 상태는 분자간의 결합 수준으로 특정된다.(고,액,기) - 만약 기체 온도를 더 가해지게 되면 물질이 이온화된 가스로 상태로 변하는데 이것은 일반기체와 특성이 다르기 때문에 따로 분류하여 플라즈마라 칭한다. - 전체적으로 기체의 성질을 갖으나 동시에 전기 전도체이며 자기장의 영향을 받음(이온화되어 있기 때문에) 집합적 행동 : 하전 입자의 거동을 외부 힘이 지배 준중성 : 전체적으로 중성이나 좁은 범위에서는 중성이 깨짐 ※이온화율 ne : 전하밀도, nn : 중성입자밀도 플라즈마 구성 - 플라즈마는 중성원자(분자), 음전하(전자), 양전하(양이온)으로 구성 - 이온화율을 주로 plasma안에 전자 에너지 의해 결정된다. - 대부분 공정용 플라즈마의 이온화율은 0... 2023. 6. 20. 기체 분자 운동론과 진공 1. 진공의 특성 1)진공 기초 진공 : 아무것도 없는 빈공간 공학적 정의 : 대기압보다 낮은 압력으로 기체가 채워져 있는 공간 진공의 발견 : 토리첼리 실험 2) 진공의 이용 압력 차이에 의한 힘 빠른 증발(동결건조) 열전달 차단 운동저항의 감소 청정 환경 3) 진공의 단위 1기압 = 760 mmHg = 760 Torr(토르) = 1atm 4) 진공의 의미 이상기체 방정식 : PV=nRT (분자들은 크기,부피가 없는 입자, 분자들 사이의 인력 척력이 없다고 가정) 압력이 낮다 > 공간안에 기체 분자수가 적다 압력을 낮춘다. > 공간안에 기체 분자수를 줄인다.(pumping) 5) 기체 상태 방정식 반데르발스 방정식 : 실제 상황에서 사용 하지만 진공은 이상기체 상태 방정식 사용 가능 6) 진공 특성 (.. 2023. 6. 19. 플라즈마 사용 공정 : dry etch 1. 플라즈마 사용 공정 - Plasma etch, cleaning - PECVD - PVD - Ion implantation, plasma immersion 2. IC제작 공정 -박막 형상 -pattern 형성(포토, 에치) -추가 처리 과정의 반복 etch : PR등의 mask로 보호되지 않는 영역의 물질을 제거하는 공정 3. Plasma assisted etching -plasma의 radical이 기판 표면으로 이동 -Ion은 sheatch 영역을 건너며 가속된 에너지로 물질 타격 -Radical과 표면물질의 화학반응을 활상화시킴 >화학반응물이 기체상태로 되어 제거됨 (물질이 비휘발성이면 박막형성) Gas : Cl2, CF4, O2(ashing), 낮은 압력 사용(이방성목적) 4. Plasma E.. 2023. 6. 19. 이전 1 다음 반응형
